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负巨磁电阻向正巨磁电阻的转变

APPLIED PHYSICS LETTERS 2002, Vol. 80, p.1779

Transition of magnetoresistance (GMR) behavior from negative to positive with substitution of Cu by Ge for Co20(Cu1-xGex)80 granular ribbons.
     
内容摘要:

人们已经在反铁磁耦合的多层膜、磁性颗粒膜及隧道结中观察到负的巨磁电阻效应。最近,在巨磁电阻效应方面的研究兴趣转向极化铁磁绝缘体、铁磁半导体型结构。我们报导了Co20(Cu1-xGex)80纳米晶条带中当用半导体Ge替代Cu基体时,巨磁电阻效应从负向正的转变。在条带中六方结构的Co3Ge2化合物的生长导致巨磁电阻效应的物理起源的改变。在CoCu磁性颗粒膜系统的通常的自旋相关散射的输运机制转变成了由Co/Co3Ge2/Co隧道结导致电子隧穿的库仑阻塞效应的输运机制。我们还系统地研究了Co20(Cu1-xGex)80纳米晶条带的结构、磁性及其与磁输运性质的关系。

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