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过渡金属化合物的巨磁电阻

PHYSICAL REVIEW B 2003, Vol. 67, p.132405

 
Temperature dependence of the resistivities of Mn2Sb1-xSnx compounds at zero field (the open symbols) and at a magnetic field of 5 T (the solid symbols).
内容摘要:

自从发现巨磁电阻,人们努力提高通常在化合物较低的巨磁电阻率、增加反铁磁有序的温度、降低巨磁电阻产生的转变磁场。进一步探测具有新的磁输运性质的新型化合物的巨磁电阻是一个有意义的课题。在Mn2Sb1-xSnx(x在0 0.4之间) 化合物中,本项工作发现可以用磁场诱导一个从反铁磁到亚铁磁的磁性相变,并伴随着巨磁电阻效应的发生。在5 T 磁场下,142 K 时Mn2Sb0.85Sn0.15化合物的巨磁电阻率达到60%。Mn2Sb0.6Sn0.4化合物的巨磁电阻和磁化强度的磁场依赖关系证实磁场诱导的磁性相变导致系统中的巨磁电阻效应。磁场诱导的磁性相变导致超布里渊区能隙的崩塌引起的费米面的重组被认为是巨磁电阻效应产生的根源。

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