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低场磁电阻温度区域可调的

La0.7Sr0.3MnO3:NiO纳米复合薄膜

 
  50%和70% NiO体积比的 La0.7Sr0.3MnO3:NiO纳米复合薄膜的微结构及其低场磁电阻。

  巨磁电阻在数据读取磁头、磁随机存储器和磁传感器等微电子元器件上有着广泛的应用。多晶锰氧化物具有很大的低场磁电阻(LFMR),但是其发生温度只限于低温,因而至今尚未得到实际应用。最近,沈阳材料科学国家(联合)实验室磁性材料与磁学研究部宁兴坤博士研究生、王占杰研究员和张志东研究员用激光脉冲沉积法在SrTiO3衬底上制备了La0.7Sr0.3MnO3 (LSMO)和NiO纳米复合薄膜,并发现50% NiO体积比的 LSMO:NiO薄膜具有棋盘状结构,在200~300 K温度范围显示出较大的LFMR (在250 K和1 T下,LFMR =~17%);70%NiO的 LSMO:NiO薄膜具有纳米柱状结构,在10~210 K温度范围显示出巨大的LFMR (在10 K和1 T下,LFMR =~41%)。这是由于复合薄膜中存在LSMO/NiO界面的电子自旋散射和纳米尺度的LSMO/NiO/LSMO磁隧道结。通过控制LSMO:NiO纳米复合薄膜的微结构,实现了温度区域可调的巨大的LFMR。相关工作发表在Advanced Functional Materials。这一研究成果将对巨磁电阻锰氧化物材料的研究和应用起到重要的推动作用。

该项工作的全文链接: http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adfm.201400735/abstract

 
 

 

 
     
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