在不同温度和磁场下研究了外延生长在SrTiO₃ (001)上的Nd_0.45Sr_0.55MnO₃薄膜中的角度相关磁电阻(AMR)。在两种不同的测量模式下观察到二次对称和四次对称的角度相关磁电阻以及其间的转变。发现角度相关的磁电阻依赖于温度和磁场强度的大小。与在其它体系发现的角度相关磁电阻比较，我们认为这种二次对称和四次对称的角度相关磁电阻对应于在Néel温度下的一定温度由磁场诱导的不同自旋锥状态。

 

Cross-sectional HRTEM image of 6nm NSMO film grown on STO

Angular dependence of the observed AMR at 240K,150K,and 70K under magnetic fields of 5T and 9T, respectively, inmeasurement mode B.