研究了纳米尺度Co/NiO铁磁/反铁磁反点阵列和薄膜的交换偏置和热稳定性。在反点阵列中交换偏置场H_E随Co厚度(t_Co)增加而增加，在t_Co=8 nm时达到极大值。在薄膜中交换偏置场HE随t_Co增加而减少。与薄膜相比较，在反点阵列中交换偏置场H_E依赖铁磁性Co厚度的厚度或增加或减少。这是由于纳米空洞导致的反铁磁NiO和铁磁Co层的三维效应。由于杂乱取向反铁磁磁化强度分量的垂直于平面的各向异性K₁，在反点阵列中观察到高的温度稳定性。

(a) SEM image of Ag(10 nm)/Co(8 nm)/NiO(5 nm)/Ag(5 nm) antidot arrays. (b) Cross section sketch of the antidot arrays, the arrows indicate the magnetization direction of magnetic films.

Temperature dependence of H_E and H_C for Co(8 nm)/NiO(5 nm) antidot arrays (square) and the continuous films (circle and triangle).