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二次离子质谱的深度分析与三维重构
信息来源:admin    更新时间:2013-12-10    浏览次数:1505次

         Ion-Tof SIMS V是传统的静态二次离子质谱,一次离子Bi+只激发材料表层的原子用于质谱分析,是一种无破坏的表面分析方法,只能分析材料的表面组成。通过集成用于剥离材料的高能量Cs离子枪,并实现剥离与二次离子质谱分析的交替进行,便能完成深度方向材料组成的分析。结合逐层的元素面分布成像由三维层析技术便可重构出元素在三维空间的分布情况,弥补了深度分析中微观分布不均匀性无法呈现的不足。该技术可以为薄膜材料、多层材料的分析以及界面扩散的研究提供支持。


Fig.1 Ion-Tof SIMS V is a Time-of-Flight Secondary Ion Mass Spectrometry used to provide detailed elemental and molecular information about the surface, thin layers, interfaces of the sample.



Fig.2 A surface elemental mapping of AlLi alloy by using the Ion-Tof SIMS V with high current bounced mode.



Fig.3 Depth profile analysis of FeNi alloy film on Cu. The surface morphology of the interested area after sputtering and three reconstructed box of the area are demonstrated.