本发明涉及单壁纳米碳管的制备技术,具体为一种无金属催化剂高效生长单壁纳米碳管的方法,适于高效制备高质量､无金属杂质残留的单壁纳米碳管｡该方法以离子溅射方法制备的二氧化硅薄膜为催化剂前驱体,在600~1100℃条件下通过碳源的裂解制备单壁纳米碳管｡其中,碳源为甲烷､乙烷､乙烯､乙炔､苯､甲苯､环己烷等碳氢化合物或乙醇､甲醇､丙酮､一氧化碳等,载气为氢气或氢气与氩气､氦气等惰性气体的混合气｡本发明提出以离子溅射方法得到的SiO2镀膜为催化剂前驱体,高效生长不含有任何金属杂质的高质量单壁纳米碳管,具有操作简便､成本低､与易于在硅基体上定位生长和图案化生长单壁纳米碳管的特点,对要求无金属杂质的单壁纳米碳管的应用奠定了基础｡