本发明涉及纳米碳质薄膜的器件制作工艺,具体为一种利用臭氧处理对石墨烯､碳纳米管及其复合薄膜的光电性能进行调控并对其图形化的方法,适用于基于石墨烯或碳纳米管薄膜的电子器件及生物化学传感器等｡该方法通过调节臭氧的处理温度､流量及时间,在常压下实现对纳米碳质薄膜电学和光学性能的调控｡利用光刻工艺,在纳米碳质薄膜上预制具有相应图形的保护性图层,然后采用臭氧进行氧化处理,以绝缘或去除未被保护的部分,被保护的部分则仍然保留原来性质,从而得到具有相应图案的纳米碳质薄膜,实现了纳米碳质薄膜的图形化｡本发明易于操作,与传统的集成电路工艺相兼容,解决了现有图形化技术中需要真空系统,设备复杂并且耗时等问题｡