本实用新型公开了一种以FeNi合金或FeNiP合金作为反应界面层的柱状凸点封装结构,属于半导体器件封装领域｡该封装结构包括半导体衬底､导电金属柱､氧化层､反应界面层和焊料凸点;所述半导体衬底的上表面设有焊盘和钝化层,焊盘开口上方设有导电金属柱,其材质为铜或铜合金;所述导电金属柱的侧面裹有氧化层,导电金属柱的上方设有反应界面层,反应界面层的材料为铁镍合金或铁镍磷合金;所述反应界面层上方设有焊料凸点,所述焊料凸点的材料为锡或锡合金｡本实用新型利用FeNi合金或FeNiP合金具有优良可焊性､界面层生长速度慢及其热膨胀系数可通过调整合金成分变化的特性,提高了互连体的力学､电学､热学性能及服役可靠性｡