本实用新型涉及掩膜版技术领域，尤其涉及一种高精度硅物理掩膜版。硅物理掩膜版分为支撑框架和精细图形挡板两层，上层为精细图形挡板，下层为支撑框架，具体结构如下：支撑框架中间开设支撑框架窗口，在精细图形挡板中间与支撑框架窗口相应处，开设镀层图形窗口。该掩膜版使用的原材料为双抛双面氮化硅的单晶硅片， 在单晶硅片的一侧采用光刻和深硅刻蚀的方法 刻蚀出一定深度的图形；在单晶硅片的另一侧采 用光刻、反应离子刻蚀和湿法刻蚀等技术，使 图形区域镂空，并保证其刚度，形成最小缝隙可小于2μm的高精度硅基物理掩膜版。相较于普通金属物理掩膜版，实用新型具有精度高、图形尺 寸可达几微米甚至百纳米的优点。