本发明涉及碳纳米管/硅异质结太阳能电池领域，具体为一种无损转移碳纳米管薄膜制备异质结太阳能电池的方法。首先将沉积于微孔滤膜上的高性能(如：高透光率、低方块电阻)碳纳米管透明导电薄膜裁剪成合适尺寸；再将其置于SiO2/Si基底上，滴加无水乙醇，使碳纳米管薄膜与硅基底紧密接触；待乙醇自然蒸发后，再利用碳纳米管薄膜与硅基底之间的作用力大于碳纳米管薄膜与微孔滤膜的作用力，用镊子直接移去滤膜；然后制备上电极(银胶)和下电极(铟镓合金)即得所述太阳能电池。本发明在转移碳纳米管薄膜的过程中未使用无水乙醇外的其他溶剂，过程简单，提高碳纳米管与基底的结合，所构建的太阳能电池具有优异的光电转换性能及稳定性。