本发明涉及光电探测器领域，尤其涉及一种GaN/MoS2二维范德华异质结光电探测器及其制备方法。利用Ga液滴的移动印刷辅助高温氨化法，制备了具有几个原子层厚度的二维GaN纳米片，其具有尺寸大、结晶质量高和制备简单的优点。同时，利用所制备的二维GaN纳米片，设计了GaN/MoS2二维范德华异质结光电探测器。光电探测器的器件结构自下而上依次为绝缘基底、二维GaN纳米片、二维MoS2纳米片和金属电极。二维GaN纳米片和二维MoS2纳米片设置有部分重叠区域，部分重叠区域通过范德华力相互作用形成异质结。该光电探测器可同时探测可见光和紫外光，并且光响应度高、响应时间快。