本发明涉及高抗氧化性单/双壁碳纳米管的可控制备领域,具体为一种高抗氧化性､高纯､单/双壁碳纳米管的可控制备方法｡利用浮动催化剂化学气相沉积法,以二茂铁为催化剂前驱体､硫粉为生长促进剂､在较高温度下通入碳源气体,在高的氢气载气流量下,生长出高抗氧化性碳纳米管,同时通过调控加入硫生长促进剂的量,实现单壁或双壁碳纳米管的控制生长,获得高纯､高抗氧化性单/双壁碳纳米管,单壁或双壁碳纳米管占总碳管含量的90%以上,单壁和双壁碳纳米管的最高抗氧化温度分别为770℃和785℃｡本发明获得结晶度高､结构缺陷少､纯度高的单/双壁碳纳米管,具有优异的导电性､高弹性､高强度等特性,可望在透明导电薄膜及其相关器件上获得应用｡