本发明涉及陶瓷材料领域,具体为一种Ti3Al1-xSixC2基体表面生长TiO2纳米线或TiO2晶须一体化材料及其制备方法｡以Ti3Al1-xSixC2块体材料作为基体,TiO2纳米线或TiO2晶须生长于基体表面;其中,0≤x≤1｡将Ti3Al1-xSixC2块体材料打磨､抛光､清洗､干燥;在温度800℃-1300℃,真空度10Pa-65kPa,保温时间10min-60h条件下处理,即可在Ti3Al1-xSixC2块体材料表面生长出金红石型TiO2纳米线或晶须,从而得到Ti3Al1-xSixC2/TiO2纳米线､晶须一体化材料｡该方法制备的TiO2纳米线､晶须尺寸可控制在直径20nm-2μm,长度可达几百微米,并且表面光滑｡Ti3SixAl1-xC2基体材料具有较高的强度､模量､抗热震性以及导电性,而TiO2纳米线､晶须具有较大的比表面积,因此Ti3Al1-xSixC2/TiO2一体化材料将在电加热的高温催化剂载体､光催化等领域具有潜在应用前景｡