本发明涉及金属性单壁碳纳米管的直接可控制备领域,具体为一种以非金属氧化硅为催化剂优先生长金属性单壁碳纳米管的方法,以Ar离子束物理沉积法,在带有纳米二氧化硅热氧化层的硅基底上沉积氧化硅膜,通过控制预处理条件,实现纳米颗粒的形核析出,并且实现了粒径大小和分布的调控,最终在合适的生长条件下获得直径在1.2nm左右的金属性单壁碳纳米管,其含量为单壁碳纳米管总数的80%以上｡本发明以控制单壁碳纳米管形核阶段所依赖的催化剂为出发点,利用非金属催化剂的高熔点特性,实现了较窄直径分布的金属性单壁碳纳米管的直接生长,突破了现阶段金属性单壁碳纳米管控制制备的瓶颈,为特定结构单壁碳纳米管的形核机理提供了新的认识｡