本发明涉及金属性富集单壁碳纳米管的直接､大量､可控制备领域,具体为一种浮动催化剂法选择性生长金属性富集单壁碳纳米管的方法,在直径调控基础上､氢气原位弱刻蚀直接生长金属性富集单壁碳纳米管｡以二茂铁等为催化剂前驱体､硫粉为生长促进剂､有机低碳烃为碳源的条件下,通过调节优化催化剂挥发温度､载气氦气/氢气的流量,在一定生长温度下可原位刻蚀掉小直径半导体性单壁碳纳米管,最终获得较大直径､金属性富集的单壁碳纳米管｡本发明实现了金属性富集单壁碳纳米管的大量､快捷､低成本控制生长,突破了目前直接生长宏量金属性富集单壁碳纳米管这一瓶颈问题｡