本发明涉及碳纳米管的制备技术,具体为一种低温气相宏量生长高质量､平直碳纳米管的方法及其专用装置｡催化剂前驱体､生长促进剂､惰性剂粉末在常温下混合均匀,由载气及碳源匀速､极低量输入反应区,反应区为垂直或水平管式炉｡其中生长温度为500~1000℃,催化剂前驱体为Fe､Ni或Co的有机化合物､无机盐､纯金属粉末等,供量为2×10-8~2.9×10-7克当量/小时·cm2;生长促进剂为含硫有机物,供量为1×10-10~2.9×10-9克当量/小时·cm2;碳源为小分子碳氢化合物,供量为1×10-5~3.9×10-4克当量碳/分钟·cm2;载气为氩气或氮气或氦气或氢气,供量为1~100ml/分钟·cm2｡生长过程中根据需要通入刻蚀剂,实现低成本､低能耗､宏量生产高纯度､高质量､平直､小直径碳纳米管｡