本发明属于无机半导体纳米材料技术和器件应用领域，特别是指一种MnWO4纳米板光敏场效应晶体管及其制造方法。本发明通过利用微弧氧化方法，生长大面积，高产量和结晶质量优异的MnWO4纳米板，进而利用其制备背栅结构的MnWO4纳米板光敏场效应晶体管。本发明的方法工艺简单，成本低，可大规模生长高结晶质量的MnWO4纳米板材料，便于产业化推广。本发明的单根MnWO4纳米板的载流子迁移率可高达45.6 cm2/V·s。本发明的光敏场效应晶体管显示出n型传输特性，优异的栅极调控能力和光电转换特性，其阈值电压仅有1 V，跨导可达2.7 μS，光响应度和比探测率分别高达3.21 × 104 A/W和4.9 × 1010 Jones，光响应时间只有320 ms。