本发明涉及一种基于GaN纳米材料的紫外光电探测器及其制造方法，具体是指一种基于Pt纳米颗粒修饰GaN纳米线的紫外光电探测器及其制造方法。本发明是通过化学气相沉积技术在蓝宝石衬底上生长GaN纳米线阵列，然后在GaN纳米线阵列上沉积一层Pt纳米颗粒，最后利用光刻技术在单根沉积有Pt纳米颗粒的GaN纳米线两端沉积一层金属电极。紫外探测器的光电性能测试结果显示，相比于没有Pt纳米颗粒修饰的GaN纳米线紫外光电探测器，有Pt纳米颗粒修饰的GaN纳米线紫外光电探测器显示出更大的光电流，更高的光响应度，外量子效率，开/关比，以及更快的开光速度和更好的光电流稳定性，具有很好的潜在应用。另外，该器件制造工艺简单，重复性强，工艺可控性强，成本低。