本发明属于光电探测器领域，特别是指一种基于单根孪晶结构GaN纳米线的紫外光电探测器及其制备方法。该探测器自下而上依次为Si衬底，SiO2绝缘层，绝缘层上的单根孪晶结构GaN纳米线，覆盖在单根孪晶结构GaN纳米线两端的金属电极。本发明中孪晶结构GaN纳米线具有很高的比表面积，并且孪晶结构可以有效实现光生载流子的分离以及快速输运，具有很高的光响应度，外量子效率和光电流增益。更重要的是，该紫外探测器对UV-A波段的紫外光有着非常高的选择性。器件制作工艺简单，成本低，灵敏度高，性能稳定。