本发明的目的在于提供一种具有光伏特性的拓扑绝缘体薄膜及其制备方法，该薄膜具有全日光波段光电响应能力，用太阳光作为光源，n-TI/p-Si或p-TI/n-Si双层结构薄膜光电响应时间低于1秒，所测样品面积在9-15平方毫米，最强太阳光强度为200W/m2，开路光电压达0.1V，短路光电流达几十微安，随薄膜面积和太阳光强度的增加而增加。具有应用于太阳能电池的性能。