本发明涉及半导体纳米材料领域，具体涉及 一种二维介孔(GaN)1‑x(ZnO)x固溶体纳米材料及 其制备方法。(GaN)1‑x(ZnO)x固溶体纳米材料为 多孔的二维纳米片组装而成，形貌呈组装均一的 花瓣状结晶良好的单晶结构；二维纳米片呈规则 的六角形，二维纳米片的厚度为5～80纳米，二维 纳米片的直径为0 .5～10微米，二维纳米片的孔 径为5～50纳米。该二维介孔(GaN)1‑x(ZnO)x固溶 体纳米材料采用两步法制备而成，具有工艺流程 简单，实施方便，可大量合成等优点。本发明制备 的(GaN)1‑x(ZnO)x固溶体纳米材料形貌均一，分 散性好，适合构筑薄膜及柔性器件。