您当前的位置: 首页 > 技术平台 > 产业发展中心
一种高孔隙率及低热导率多孔纳米碳化硅陶瓷的制备方法(ZL201611149219.3)

本发明涉及多孔陶瓷材料领域,具体为一种通过造孔剂法制备高孔隙率和低热导率的多孔纳米碳化硅陶瓷材料的方法。该方法以β-SiC纳米颗粒和微米片状石墨为原料,以乙醇为介质,进行球磨混合,形成浆料;浆料烘干后筛成粉末,用模具压成坯体,然后冷等静压力下进一步致密化;将坯体于氩气气氛中进行高温无压烧结,然后在空气中热处理去除造孔剂石墨,获得兼具微米孔和纳米孔的多孔纳米碳化硅陶瓷材料。本发明可制备出具有多级孔结构并且孔隙率可控的高孔隙率(54~76%)和低热导率(0.74~0.14 W m-1K-1)的多孔纳米SiC陶瓷材料。

联系人
陈红梅    23978202
Developed by SYNL. Copyright © 沈阳材料科学国家研究中心. 辽ICP备05005387号-9