本发明涉及太阳能电池领域，具体为一种在F掺杂SnO2(FTO)透明导电薄膜基体上原位制备光电器件用高效SnO2电子传输层的方法。以FTO作为基体，利用(电)化学还原(或热还原)方法将其表层的F掺杂SnO2还原为金属Sn，去除掺杂的F离子，再通过热氧化(或电/化学氧化)方法将生成的金属Sn重新转化为纯SnO2，进而在FTO表面原位获得共型的SnO2电子传输层。本发明利用先还原 再氧化的过程，在FTO透明导电薄膜基体上原位制备光电器件用高效SnO2电子传输层，SnO2是光电器件(如：钙钛矿太阳能电池)用电子传输层的理想材料之一，具有高载流子迁移率和低表面态密度，利于光生电子的界面转移和体相输运。