本发明涉及铜合金及其应用领域，具体涉及一种高强度高导电率铜铬锆合金及其低温变形制备方法。该合金的化学成分重量百分比为：铬0.2～1.5%，锆0.05～0.2%，其余为铜及不可避免的杂质。该合金典型的组织为具有纳米尺度变形结构的铜基体和弥散分布的铬颗粒。其中典型的纳米结构为变形孪晶束，孪晶层片厚度20～100纳米，孪晶束尺寸数微米至数百微米。弥散分布的铬颗粒粒径在10~100纳米该合金具有．700兆帕级别强度，同时电导率在78%~82%范围．该合金的制造包括合金坯熔铸热加工及低温子变形两部分。本发明合金具有强度高、电导率高、品软化温度高、耐磨、焊接性优良等特点，可适用于吕现有铜铬锆合金使用领域，以及对强度－电导率有更高要求的领域。