本发明涉及新型半导体纳米薄膜的研发与应用领域，具体为一种与金属形成欧姆接触的硅纳米薄膜及其制作方法。半导体纳米薄膜是厚度为1微米以下的半导体单晶薄膜，可作为柔性集成器件、生物集成器件、异质集成高速器件、异质结器件等新型半导体器件的构成部分。利用反应离子刻蚀工艺实现与金属形成欧姆接触的硅纳米薄膜的制备，该方法不改变半导体体内掺杂浓度，扩展薄膜的应用范围，并节约工艺成本，所得的薄膜具有良好的电学性能和力学性能。本发明提出反应离子刻蚀工艺方法，在不使用离子注入与退火工艺的情况下，实现与金属形成欧姆接触的硅纳米薄膜的规模化制备，率先制备传统方法难以得到的新型半导体器件。