本发明涉及一种具有从低温到室温的反常Hall效应的单晶薄膜制备方法，其中包括以下具体步骤：提供MgO基底，并将该MgO基底置于超高真空系统中；利用分子束外延技术生长Fe1+yTe薄膜于该MgO基底表面上。利用本发明所述方法可制备出高质量、超薄的铁磁薄膜，在低温与室温下都具有明显的反常霍尔效应，说明薄膜具有铁磁性的特征。