本实用新型涉及金刚石膜生长领域，尤其涉及一种金刚石薄膜连续制备使用的HFCVD设备。该设备主要包括：左室插板阀、左薄膜生长室、左室水冷电极、左室热丝架、左室热丝、左室传动辊、左室支架、进出样室支架、右室支架、右室传动辊、右室热丝、右室热丝架、右室水冷电极、右薄膜生长室、右室插板阀、进样室传动辊、进出样室、基片、基片台、基片行走车。热丝采用垂直布局，在加热和镀膜过程中不会弯曲变形，与基体距离稳定，提高镀膜质量和金刚石膜的均匀性，实现连续制备金刚石薄膜，保证碳化后的灯丝不再断裂，减少重新安装灯丝、抽真空、碳化灯丝、真空室充气等辅助时间，大大提高金刚石膜的制备效率。