本发明涉及碳纳米管垂直阵列领域，具体为一种碳纳米管垂直阵列的干式接触转移方法。首先在生长基底表面制备出较高密度的碳纳米管垂直阵列，在生长结束切断碳源供给后，继续往反应室内通入具有弱刻蚀作用的气体，保持10～30min。将用以上方法制备得到的碳纳米管垂直阵列的自由端也就是顶部按压到任何一种目标基底表面，施加压力后即可将生长基底剥离，而碳纳米管垂直阵列整体粘在目标基底上。本发明过程简单可靠，适用于机械自动化过程，可以将高密度碳纳米管垂直阵列直接粘贴到任何一种基底表面，同时不受阵列高度的限制，因此可以获得很低的热阻和电阻，在热管理、电化学等诸多领域有着良好的应用前景。