本发明涉及新型碳纳米管薄膜晶体管栅绝缘层材料的研发与应用领域，具体为一种采用光刻胶为栅绝缘层的碳纳米管薄膜晶体管及其制作和作为存储器件的应用。利用旋涂和光刻工艺实现栅绝缘层的沉积和图形化，制作工艺过程简单，所得的介电材料可以作为晶体管的高性能栅绝缘层。以光刻胶作为栅绝缘层的碳纳米管薄膜晶体管具有低的工作电压，较高的电流开关比和载流子迁移率等良好的电学性能；经过五千次机械弯曲之后，器件的电学性能保持稳定，栅极漏电流小且稳定，展现出光刻胶栅绝缘层优异的绝缘性能以及良好的柔性。同时，以固化光刻胶作为栅绝缘层以及钝化层的碳纳米管薄膜晶体管可获得稳定的迟滞效应，用于构建记忆存储器件。