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高温强度优热导率低的多孔γ-(Y1-xHox)2Si2O7的制备方法(ZL201710641795.8)

本发明涉及热防护材料领域,具体为一种高温强度优热导率低的多孔γ-(Y1-xHox)2Si2O7的制备方法。对于所合成的多孔γ-(Y1-xHox)2Si2O7材料,其中x的取值范围为0 < x ≤ 1。以氧化钇、氧化钬和氧化硅粉末作为原料,水为分散介质,先配制出陶瓷浆料,然后将浆料加热至35~45℃、加入发泡剂并快速搅拌进行发泡,接着加入凝胶剂明胶和表面活性剂,之后进行注模凝固。脱模之后先室温干燥24~36小时,然后在70~90℃下干燥12~24小时,最后经过高温反应烧结制备出γ-(Y1-xHox)2Si2O7多孔材料。本发明合成出的多孔陶瓷具有高温强度好、高孔隙率和低热导率的特点,在高温热防护材料领域具有诱人的应用前景。本发明生产工艺流程简单,环境污染小,适合工业化生产。

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陈红梅    23978202
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