本发明的目的是提供一种可以实现单原子层沟道的鳍式场效应晶体管的普适方法，以及采用该方法设计的单原子层沟道的鳍式场效应晶体管，该方法操作简单、能够获得稳定可控的高密度鳍式场效应晶体管阵列。