本发明涉及单壁碳纳米管薄膜的可控、均匀收集技术，具体为一种浮动催化剂法生长的单壁碳纳米管薄膜的连续收集方法与专用装置。在化学气相沉积碳纳米管生长炉尾端设计连接安装球阀开关和薄膜收集室，在不改变任何生长条件的前提下，在各种薄膜基底表面直接、连续收集高质量单壁碳纳米管薄膜。在常温、室压条件下将浮动催化剂化学气相沉积法生长的单壁碳纳米管薄膜收集到各种基底表面，通过对沉积时间的调控，生长参数的控制，实现数英寸级别、密度可控且均匀的单壁碳纳米管薄膜的连续收集。从而，解决了目前碳纳米管薄膜收集过程中所面临的均匀性差、长径比小、尺寸受限等技术难题。