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研究成果
Research

碳化硼/铝中子吸收材料研制与应用取得重要进展

中子吸收材料又称中子毒物材料，通过其含有的大的中子吸收截面物质（如硼、镉、钆等）吸收热中子，从而抑制核裂变链式反应，主要用于核燃料与乏燃料贮存和运输中，以保证贮运的次临界安全。碳化硼增强铝（B4C/Al）中子吸收材料是由B4C颗粒添加到铝基体中形成的一种新型铝基复合材料，因其硼含量高、密度低、热导率高等优点，近年来在国外已替代传统的硼不锈钢等中子吸收材料......

国家实验室研究人员建立通量全闭合铁电畴二维阵列形成相图

拓扑缺陷具有独特的力、电、磁等特性，在电子器件中具有重要的应用价值。作为一种重要的拓扑缺陷，具有闭合极化分布的铁电涡旋畴或通量全闭合畴组态，在高密度数据存储中应用前景广阔。由于利用通量全闭合畴结构来存储数据可以避免数据之间的相互影响，因此，若能将这种纳米畴组态制备成周期性阵列，将有利于数据的寻址。

铁电超薄薄膜中强极化可持续性研究取得进展

沈阳材料科学国家（联合）实验室固体原子像研究部马秀良研究员、朱银莲研究员及博士生张思瑞等人近日在超薄铁电薄膜中发现强极化的可持续性现象。

纳米孪晶金属与历史无关的稳定循环响应研究取得重要突破

中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室卢磊研究员研究组和美国布朗大学高华健教授研究组合作在纳米孪晶金属与历史无关的稳定循环响应研究中取得重要突破,该成果发表在《Nature》（《自然》）周刊。

铁电薄膜异质界面及畴组态新进展

铁电材料由于丰富的物理性能和在铁电器件领域广泛的应用前景得到研究人员的广泛关注。由于电子器件小型化的需求，铁电材料通常以薄膜的形式用于研究和应用。随着薄膜尺度的减小，界面问题变得愈加重要。“界面即器件”，对氧化物而言同样适用。

具有空穴捕获功能的新型光催化还原材料研究进展

自20世纪70年代以来，光催化技术由于在解决人类面临的能源危机和环境污染上的巨大潜力而受到广泛关注。光催化反应中，半导体光催化材料（如TiO2）吸收光被激发，产生光生电子和空穴；光生电子和空穴迁移到材料表面后，既可以发生氧化反应，也可以发生还原反应。

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